Technische Hürde bei KI-Rechenzentren: Infineon und Solaredge entwickeln ultraschnelle Schutzschalter für 800-Volt-Gleichstromnetze

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München/Milpitas, Kalifornien - Der Schutz von Hochspannungs-Gleichstromnetzen in KI-Rechenzentren vor Fehlern gilt als zentrale technische Hürde, weil solche Netze eine äußerst schnelle Fehlerisolierung erfordern und klassische elektromechanische Schutzschalter vergleichsweise langsam sind. Um dieses Problem zu lösen, entwickeln Infineon und Solaredge gemeinsam halbleiterbasierte Schutzschalter (Solid-State-Circuit-Breaker).

Die rasant steigende Rechendichte von KI-Anwendungen treibt die Branche zunehmend in Richtung Hochspannungs-Gleichstromverteilung. Anders als bei Wechselstrom gibt es bei Gleichstrom jedoch keinen natürlichen Nulldurchgang. Beim Öffnen eines mechanischen Kontakts kann dadurch ein sich nicht selbstlöschender Lichtbogen entstehen, was den Schutz solcher Netze mit klassischen elektromechanischen Schutzschaltern erschwert.

Infineon und Solaredge entwickeln Halbleiterschutzschalter für 800-Volt-Gleichstromnetze
Die Infineon Technologies AG und das israelische Energietechnik-Unternehmen Solaredge Technologies erweitern ihre bestehende Zusammenarbeit im Bereich der Solid-State-Circuit-Breaker (SSCB)-Technologie für die Hochspannungs-Gleichstromverteilung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren. Das haben die Unternehmen jetzt angekündigt. Elektromechanische Schutzschalter sind vergleichsweise langsam. Beim Öffnen eines mechanischen Kontakts kann zudem ein Lichtbogen entstehen. Bei der zunehmenden Leistungsdichte von KI-Infrastrukturen ist deshalb eine besonders schnelle Fehlerisolierung für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb erforderlich. Die SSCB-Lösung soll Fehler in Gleichstromnetzen dagegen innerhalb weniger Mikrosekunden und ganz ohne Lichtbogenbildung trennen. Solaredge übernimmt das Design der Schutzschalter, Infineon liefert mit seiner Siliziumkarbid (SiC)-JFET-Technologie CoolSiC die Kernkomponente. Die Lösung soll sich an führenden Branchenstandards für 800-Volt-Gleichstromarchitekturen (VDC) orientieren.

„Hochdichte KI-Infrastrukturen bei 800 VDC erfordern kompromisslose Effizienz und Schutz", sagt Solaredge-CEO Shuki Nir. Halbleiterbasierte Schutztechnologien ermöglichten Betreibern beides - eine schnelle, zuverlässige Fehlerisolation, ohne bei der Energieumwandlung Kompromisse eingehen zu müssen. Die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon mache dies im großen Maßstab praktikabel.

Zusammenarbeit baut auf Solaredge-Transformatorplattform mit Infineon-Halbleitern auf
Die Erweiterung knüpft an die im November 2025 bekanntgegebene Zusammenarbeit bei der Solid-State-Transformer (SST)-Plattform von Solaredge an, die auf Siliziumkarbid-Bauteilen von Infineon basiert. Der SST wandelt Mittelspannung (13,8 bis 34,5 Kilovolt) mit einem Wirkungsgrad von über 99 Prozent direkt in 800 bis 1.500 Volt Gleichspannung um und reduziert damit die Zahl der Umwandlungsstufen sowie den Platzbedarf gegenüber klassischen Architekturen. Mit dem Schutzschalter schließen die Partner nun die Lücke zwischen Transformator und Compute-Rack und bringen damit eine umfassende Grid-to-Rack-Lösung voran.

„Die heutigen Dateninfrastrukturen sind anfälliger für elektrische Störungen geworden, was die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen antreibt", sagt Andreas Weisl, Chief Sales Officer der Sparte Industrial & Infrastructure bei Infineon.

Solaredge-Aktie seit Ende dem Jahreswechsel deutlich gestiegen
Die im regenerativen Aktienindex RENIXX-World gelistete Solaredge-Aktie hat sich seit Ende 2025 deutlich erholt: Zwischen dem 30. Dezember 2025 und dem 14. September 2026 stieg der Kurs des RENIXX-Unternehmens von 24,62 auf 30,55 Euro; das ist ein Plus von 24,1 Prozent.

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